COMSOL을 사용하여 CF4/Ar 플라즈마를 연구하던 도중 관련 논문을 읽었는데 다음과 같은 내용이 있었습니다. 

 

논문 제목: 유체시뮬레이션을 통한 Ar/CF4 자화유도결합 플라즈마의 특성 연구

"SiO2와 달리 Si 식각과정에서 탄소가 식각에 참여할 수 없기 때문에 표면에 탄소 또는 불화탄소 계열 의 화학종들이 누적되려는 경향이 있다. 이는 식각 선택도를 얻 는 중요한 채널이 된다. 선택도를 증가시키기 위해서는 플라즈마 체적내의 불소 농도를 탄소 또는 불화탄소 계열의 중성 입자에 비해 감소시킬 필요가 있다[20]. 따라서 자화유도결합 플라즈마 는 탄소의 증가율이 불소의 증가율보다 높아 실리콘 식각 시 선 택도를 높일 수 있을 것으로 보여 진다." 

 

위 내용에서 궁금한점이 3가지 있습니다. 

1. SiO2와 달리 Si 식각과정에서는 탄소가 식각에 참여할 수 없기 때문에 라고 되어있는데 SiO2 식각에는 C가 참여할 수 있나요??

2. Si 표면에 탄소 및 불화탄소 화학종이 누적되면 식각 선택도가 중요한 이유가 무엇인가요?

3. 제가 이해한 내용은 "Si/SiO2 시각 시 Si 표면에는 탄소와 불화탄소 화학종에 의해 표면이 보호되어 F의 식각으로부터 보호, SiO2는 F에 의해 식각되어 선택비가 좋아진다" 라고 이해했는데 제가 이해한 내용이 맞나요??

 

시간 내어 읽어주셔서 감사합니다. 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102636
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24660
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61358
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73443
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105747
813 Druyvesteyn Distribution 369
812 RF ROD 연결부 부하로 인한 SHUNT, SERIES 열화 [2] file 372
811 반사파에 의한 micro arc 질문 [VHF 전력 인가] [2] 383
810 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 387
809 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [RF Power] [1] 393
808 플라즈마 사이즈 측정 방법 [플라즈마 분포 측정 및 산포 평가] [1] 401
807 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [에너지 균형과 입자 균형식] [1] 402
806 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 405
805 화장품 원료의 플라즈마 처리 문의 [환경 플라즈마] [1] file 411
804 실리콘 수지 코팅 Tool에 Plasma 클리닝 시 코팅 제거 유/무 [대기압 플라즈마, highly collisional plasma] [1] 412
803 Si 와 SiO의 선택적 식각 관련 문의입니다. 416
802 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [초고밀도 플라즈마] [1] file 424
801 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 426
800 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 426
799 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 429
798 Wafer Capacitance 성분과 Vdc 관계 문의드립니다. [Sheath 크기 및 전위 분포] [1] 431
797 AP plasma 공정 관련 문의 [OES 활용 장비 플라즈마 데이터 분석] [1] 432
796 ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 437
795 HF와 LF중 LF REFLECT POWER가 커지는 현상에 대해서 도움이 필요합니다. [2] 438
794 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 447

Boards


XE Login