OES EEDF, IEDF, Cross section관련 질문

2019.07.09 11:28

베컴 조회 수:1670

안녕하십니까? 에쳐장비 현업에 종사하고 있습니다.


OES를 통해서 EEDF를 어떻게 그래프화 할 수 있느지 궁금합니다.

일단 분광기를 통해서 받아들인 파장에 따른 강도의 Law data를 가지고 어떤식으로 구하는지요?

제 생각에는 기존의 에너지 분포함수등을 참고하여, 모델링 할것으로 판단이 되는데....구체적인 개념적 방법을 알고 싶습니다.


그리고, IEDF도 OES를 통해서 구할수 있는지요? 플라즈마 상태에서 전자와 이온전류의 Net Current가 0임을 전제로 하여, 구할수도 있을 듯한데....개념적인 설명 부탁드립니다.


추가적으로 공정 라티칼 Cross Section관련, 이 부분은 플라즈마 내부 물리적 충돌로 인한 영향과 화확적 반응 정도를 파악하기 위해 보는 상수나 그래프라 추정합니다....충돌단면적을 구하는 방법또한 궁금합니다.


바쁘시겠지만, 추천해주실 논문이나, 개념적이나 간단한 수학적 설명 부탁드립니다.

(상기 관련 다양한 접근방법이나 방식이 있겠지만, 레퍼로 참고할 수 있는 방식 부탁드립니다.)


본 사이트를 통해 다양한 정보와 지식을 공유하고 생각하는데에 대해 항상 감사하게 생각하고 있습니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76866
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20272
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57198
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68750
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92692
337 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4525
336 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4840
335 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5079
334 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5091
333 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5186
332 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5347
331 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5474
330 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5576
329 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5687
328 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5827
327 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5911
326 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5930
325 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5936
324 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6039
323 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6095
322 자료 요청드립니다. [1] 6209
321 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6239
320 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6273
319 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6285
318 공동형 플라즈마에서 구리 전극의 식각 문제 [2] 6369
쓰기
태그

Boards

XE Login