Sheath 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의
2017.05.17 14:41
안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로
두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.
첫째는
O2만 넣고 플라즈마 했을 때 / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때
대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)
그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고
RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해
측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은
기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.
둘째는
플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.
관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.
-플라즈마종사자 드림-
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] | 76871 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20273 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57199 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68751 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92694 |
157 | MFC | 19334 |
156 | CCP/ICP에서 자석의 역활에 대하여 | 19351 |
155 | 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19361 |
154 | AC 플라즈마에서의 전압/전류 형상... | 19390 |
153 | QMA에 관하여 [1] | 19431 |
152 | H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. [2] | 19431 |
151 | Full Face Erosion 관련 질문 [2] | 19461 |
150 | self bias [1] | 19484 |
149 | 플라즈마를 이용한 박막처리 | 19488 |
148 | [re] 터보분자펌프에 대해서 질문 좀 하고 싶어요! | 19559 |
147 | 플라즈마를 이용한 폐기물 처리 | 19641 |
146 | smsith chart 공식 유도하는 방법? | 19659 |
145 | DC SPT 문의 | 19682 |
144 | Noise 문제, 탐침에 의한 식각 플라즈마의.. | 19693 |
143 | DCMagnetron Sputter에서 (+)전원 인가시 | 19714 |
142 | cross section 질문 [1] | 19720 |
141 | 대기압 상태의 플라즈마 측정 | 19731 |
140 | PM을 한번 하시죠 | 19732 |
139 | 상압플라즈마에서 온도와의 관계를 알고 싶습니다. | 19766 |
138 | 에쳐장비HF/LF 그라운드 관련 [1] | 19785 |