안녕하세요. 플라즈마응용연구실 관라자입니다.

 

금일부터 QnA 글을 작성하기 위해 등업제도를 일부 이용합니다.

 

해당 공지 게시글에 가입 인사를 적어주시면 QnA 글을 쓸 수 있는 권한을 받게 됩니다.

(*별도의 권한 처리 없이 댓글 등록시 바로 QnA 작성이 가능해집니다.)

 

글 작성 전에 반드시 댓글을 남겨주시고 QnA 글을 작성해주시기 바랍니다.

 

감사합니다.

 

** 기존에 글을 작성하셨던 분들도 권한 처리가 필요하므로 간단하게라도 댓글 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
» [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [320] 85683
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 22601
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 59300
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71034
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 98067
68 plasma and sheath, 플라즈마 크기 24082
67 플라즈마 쉬스 [Sheath와 self bias] 24129
66 Arcing [아크의 종류와 발생 원인] 24140
65 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! 24179
64 self Bias voltage [Self bias와 mobility] 24300
63 Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 24352
62 플라즈마가 불안정한대요.. [압력과 전력 조절] 24616
61 ICP dry etch 장비에서 skin depth가 클수록 좋다고 볼 수 있는 건가요? [ICP의 skin depth와 공정 균일도] [1] 24697
60 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [Sheath model과 bias] [3] 24800
59 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24865
58 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [장비의 접지, 절연 관리] [1] 24899
57 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점… [폭발과 pressure] [1] 24926
56 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [ICP Matching과 Circuit model] [1] 24947
55 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 25041
54 Reflrectance power가 너무 큽니다. [RF matching과 breakdown] [1] 25142
53 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [반사파 형성과 플라즈마 운전 조건] [2] 25149
52 plasma와 arc의 차이는? [Arc의 temperature] 25367
51 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25664
50 충돌단면적에 관하여 [2] 26455
49 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [ESC와 capacity] [3] 26599

Boards


XE Login