안녕하세요. Etch 공정엔지니어 입니다.

 

최근 SiC ring을 사용하는 장비에서 edge 부분에 몰림성 deffect이 떠서 장비적으로, 공정적으로 개선 중입니다.

 

그 중 ISD관령하여 질문이 있습니다

 

OES 파형 기반으로 RCP를 만드는 중인데 대략적인 RCP는 O2 Plasma > Nf3 plasma > O2 plasma입니다.

 

OES파형에서 보면

첫번째 O2 BURN에서 carbon polymer, Si polymer가 줄어드는 것을 관찰 할 수 있는데요.

 

두번째 NF3 Plasma를 키면 잔여 si ploymer가 점차 줄어들며 파형의 세기가 saturation 되는 것을 볼 수 있었습니다. 그런데 Carbon polymer가 etch 되면서 나오는 파형 중 하나인 CF, Cf2는 우 상향으로 byproduct가 줄어드는 모양이 아니더라구요. 혹시 SiC ring의 식각으로 인해 cf파형이 늘어날 수도 있을ㅋ가요?

 

추가로 CN 파형은 줄어들더라구요..CF파형이 양의 기울기로 늘어난다는게 part 중 하나가 식각되는게 아니면 이해가 가질 않습니다

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