모 반도체 회사 CVD 기술팀의 엔지니어입니다.

 RPS를 사용한 CLEAN을 DEPOSITION 이후 진행하는데 관련 특이 사항이 있습니다.

 오염원을 없애줘야할 CLEAN GAS가 반응의 매개체가 되어 오염을 일으키는 경우가 있다고 말하고 있는 사례가 있습니다. CLEAN GAS가 없을경우에는 오염이 안되다가 RPS ON하고 CLEAN이 들어가면 CHAMBER 쪽은 아닌데 특정부위에 오염이 생기는 형태입니다. 오염원의 성분분석 결과도 F성분이 많아서 유일한 공급원인 CLEAN이 오염을 유발한다는 현재까지의 상황입니다.

 물론, 그간 테스트에서도 분명 맹점이 존재할 수 있다는것은 염두해두고 있지만 저 또한 CLEAN GAS가 오염에 크게 관여한다는것까지는 받아들이고 있습니다. 온도, 압력 조건등이 보통의 경우라면 현재까지 F RADICAL로써 오염을 만드는 것에 대해서 알려진 것이 있을까요? 혹은 좀 다르게 오염의 직접적 매개체가 아니고서 오염이 된 이후에 단순히 추가 F가 달라 붙는 방식일 수는 없을까요? 기계쪽 전공자인데 플라스마 반응에 대해서 상당히 해석에 어려움이 많고, 지금 해당 문제에 대해서 시뮬레이션도 진행중인데 CLEAN GAS가 오히려 많이 들어가는 쪽이 또 실제 오염이 적은편인 것으로 나타나고 있어서 원래의 기능처럼 CLEAN GAS가 CLEAN을 못해준것이 오염원을 제거 못해서 발생하는 일인지 혼란이 있습니다. 다소 이곳의 일반적 질문과 다른 내용을 질문하는점에 대해서 양해말씀 드립니다.

 감사합니다.

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