Plasma Source 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할.

2023.06.26 10:34

ETCH식각 조회 수:690

안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.

 

다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.

 

METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.

 

이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..

 

도움 부탁드립니다. 감사합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76781
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20229
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57178
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68721
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92420
671 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 596
670 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [1] file 596
669 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 606
668 RF Sputtering Target Issue [2] file 606
667 OES 파장 관련하여 질문 드립니다. [1] 608
666 N2 GAS를 이용한 Plasma에 대한 질문 [1] 609
665 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 611
664 진공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [1] file 614
663 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 615
662 plasma 공정 중 색변화 [1] 616
661 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 619
660 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 620
659 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 628
658 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 636
657 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 636
656 플라즈마를 알기 위해선 어떤 과목을 공부해야 할까요? [1] 649
655 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 657
654 Polymer Temp Etch [1] 667
653 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 670
652 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 672
쓰기
태그

Boards

XE Login