안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 


감사합니다. 
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5905
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17357
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53179
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65113
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85203
185 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 818
184 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 843
183 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] 853
182 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 867
181 wafer bias [1] 878
180 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 885
179 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 931
178 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 936
177 RF 전압과 압력의 영향? [1] 960
176 플라즈마 코팅 [1] 968
175 Group Delay 문의드립니다. [1] 981
174 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 986
173 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1002
172 glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] 1007
171 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1027
170 자기 거울에 관하여 1040
169 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1068
168 플라즈마 기초입니다 [1] 1130
167 CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] 1144
» O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1213

Boards


XE Login