현재, 스퍼터링 시스템에 대해 공부를 하고 있습니다.

자연스레 플라즈마에 대해 알아야 되더라고요.

근데 공부 중에 플라즈마에 관련된 여러 변수 또는 파라미터들을 알게 되었습니다.

그 중 제가 질문하고자 하는 변수는 RF 파워인데요

RF 파워가 커지면 이온 에너지도 커진다고 알고 있습니다.

이게 왜 그런지 알고 싶습니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [255] 76400
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 19987
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57064
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68537
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91251
190 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1032
189 전자 온도 구하기 [1] file 1069
188 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1077
187 wafer bias [1] 1101
186 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1104
185 자기 거울에 관하여 1125
184 Group Delay 문의드립니다. [1] 1128
183 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1136
182 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1182
181 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1184
180 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1217
» 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1254
178 플라즈마 기초입니다 [1] 1270
177 CVD 막질의 성질에 대해 질문드립니다. [1] 1286
176 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 1295
175 low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] 1322
174 플라즈마 관련 교육 [1] 1364
173 플라즈마 내에서의 현상 [1] 1372
172 O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] 1393
171 PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] 1425

Boards


XE Login