건식식각 방법에 크게 이온을 이용하는 스퍼터 식각과 라디컬을 이용하는 화학적 식각 그리고 이온, 라디칼 모두를 이용하는 RIE가 있는데 ICP와 CCP로 생성한 플라즈마를 이용해서 물리적,화학적,반응 이온성 식각을 진행하는것으로 이해하면 되는건가요?? 

차이점은 어떠한 가스를 넣느냐에 따라 물리적 식각만 이루어질수도 있고, 화학적 식각만 이루어질수도 있고, RIE식각만 이루어질 수도 있는건가요??

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