Plasma Source 반도체 METAL ETCH시 CH4 GAS의 역할 [플라즈마 식각기술]

2023.06.26 10:34

ETCH식각 조회 수:1245

안녕하세요. 현재 ETCH 공정엔지니어를 직업으로 하고 있습니다.

 

다름이 아니라 ETCH 공정에 많은 Route 중 Metal Etch 공정에 관해 질문 드립니다.

 

METAL을 ETCH 할 경우 주 GAS로는 BCL3 + CL2 를 이용하고 추가적으로 N2, CHF3, CH4의 부수적인 GAS를 사용 합니다.

 

이러한 GAS 중 CH4 GAS의 용도 및 역할에 대해서 상세히 알고 싶습니다..

 

도움 부탁드립니다. 감사합니다.

 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102733
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24677
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61390
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73462
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105796
153 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [RF 전원과 매칭] [1] 638
152 H-field 측정위치에 따른 H Field MAP 변화 관련 [ICP와 H field] [1] 650
151 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [식각 교재 참고] [1] file 660
150 해수에서 플라즈마 방전 극대화 방안 [Plasma breakdown과 살균 과정] [1] file 683
149 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 683
148 ICP 방식에서 RF Foward Power를 상향하면 ER이 빨라지는 이유 [플라즈마 생성 반응] [1] 692
147 Plasma에 의한 분해 및 치환 반응(질문) [Powder] [1] 740
146 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 746
145 수중방전에 대해 질문있습니다. [플라즈마 생성 및 방전] [1] 783
144 조선업에서 철재절단용으로 사용하는 가스 프라즈마에 대한 질문 [열플라즈마와 "플라즈마 금속학"] [1] 790
143 핵융합 질문 [NFRI 국가핵융합 연구소] [1] 804
142 ICP에서의 Self bias 효과 [DC offset voltage와 floating potential] [1] 820
141 skin depth에 대한 이해 [Stochastic heating 이해] [1] 823
140 전공수준에 따른 RF plasma 영향 관련 질문 [Ion beam source] [1] file 843
139 plasma striation 관련 문의 [Plasma striation] [1] file 847
138 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [플라즈마 생성, Plasma collision reaction] [1] 856
137 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [Plasma information과 monitoring] [1] file 868
136 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 906
135 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [플라즈마 이온화 및 해리 반응, 반응기 벽면 세정] [1] 920
134 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [Matcher 기능] [2] 933
쓰기
태그

Boards

XE Login