self bias에 대해서 정확히 알고 계십니다. Matching network에 직렬C 가 있음으로 M/N을 사용할 때 Blocking C는 필요없게 됩니다.
아울러 Insulator를 Electrode위에 놓은 상태라면 이 Insulator가 C 역할을 하게 됨으로 이때도 Blocking C가 없어도 self bias가 형성됩니다. 또한 대부분의 반응기에 전극들의 면적비가 상당합니다. 이유는 반응용기 자체를 접지 전극으로 생각학 수 있기 때문입니다.
이점 참고하시기 바랍니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [54] | 1200 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 950 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 49376 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 59485 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] | 74190 |
| 31 | KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] | 184 |
| 30 | 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] | 319 |
| 29 | 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] | 349 |
| 28 | LF Power에의한 Ion Bombardment [1] | 389 |
| 27 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 429 |
| 26 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 449 |
| 25 | 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] | 483 |
| 24 | wafer bias [1] | 545 |
| 23 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 709 |
| 22 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 803 |
| 21 | 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] | 1055 |
| 20 | plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] | 1353 |
| 19 | PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] | 1694 |
| 18 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 1965 |
| 17 | Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] | 5559 |
| 16 | RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] | 8083 |
| 15 | Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] | 8217 |
| 14 | DC bias (Self bias) [3] | 8910 |
| 13 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 11624 |
| 12 | ICP에 대하여 | 17933 |
이 현상을 다음과 같이 이해하면 어렵지 않습니다. A/B 양면을 갖는 capacitor에 한쪽 (A)에는 rf전압을 인가되고 다른 한쪽(B)에는 가벼운 전자와 무거운 이온들로 구성된 플라즈마가 있습나다. A에 인가된 전
압에 따라서 B면에도 위상차가 나지만 전압이 유도될 것 입니다. B면에 유도되는 전압에 따라서 표면과 접촉하던 플라즈마 내의 전자와 이온들이 거동을 시작하면 표면으로 흘러들어 올 것 입니다. 한 주기 내에서 볼때 양의 전위가 B에 유도되면 전자들이 음의 전위가 유도되면 이온들이 표면으로 입사 될 것입니다. 이때 전자의 유동도가 이온의 유동에 비해서 매우커서, 즉 질량차에 의해서 보다 많은수의 전자들이 B면에 축적되게 될 것이며 주기가 반복되면서 표면의 전위를 계속해서 음으로 낮추는 결과를 초래합니다. 하면 언제까지 표면이 음전위를 갖게 될 것인가 하는 질문이 남습니다. 앞의 과정이 계속되면 표면 음전위가 낮아짐으로써 무거운 이온들이 더욱 가속을 받아 속도가 빠르게 되고 반대로 전자들은 속도가 점차 늦어 지게 되면서, 속도와 밀도를 곱한 값 flux, 즉 표면으로 흘러들어오는 전자 전류의 크기와 이온전류의 크기가 같아지는 조건을 만족하게 됩니다. (이는 capacitor임으로 직접 전류가 흐를 수 없기때문에 표면에서의 총 전류값이 0이 되어야 하는 조건을 만족합니다.) 이때 형성되는 B표면의 DC 전위를 Self Bias라 합니다. 따라서 insulator/혹은 semiconductor의 표면에 전압을 인가하기 위해서느 이 방법이 가장 유효하여 반도체 제조에는 늘 사용되는 방법입니다.