안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.

쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.

 쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.

제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.

왜 그런지 알 수 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [62] 1689
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 5767
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49539
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 59751
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 76003
32 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 208
31 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 329
30 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 356
29 교수님 질문이 있습니다. [1] 442
28 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 488
27 LF Power에의한 Ion Bombardment [1] 494
26 CVD 공정에서의 self bias [1] 532
25 wafer bias [1] 583
24 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 730
» 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 815
22 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1092
21 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 1435
20 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 1792
19 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 1979
18 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] update 3215
17 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 5669
16 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8160
15 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8244
14 DC bias (Self bias) [3] 9387
13 [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] 11688

Boards


XE Login