Sheath wafer bias

2019.06.28 14:49

cassowary 조회 수:722

반도체 장비관련 업체에서 재직중인 사람입니다.

아직 플라즈마 관련하여 공부한지 얼마 되지 않아 많이 부족한ㄷ네

여기서 많은 도움을 얻다 막히는 것이 있어 질문 올리게 되었습니다.



bias 에 대해 보고 있는데


보통 RF플라즈마 내에서 극판 크기에 의한 전위 차에 의해 자연스레 웨이퍼 구간에 - 전압의 self bias가 인가 되고

이를 식각이나 증착 시 Ar+이온의 속도와 방향성을 높여줘 식각과 증착의 성능에 영향을 주는 것으로 알고 있습니다.

이런 self bias 를 증가시키기 위해 척 쪽에 RF sorce 를 인가하여 bias 를 높이는 것으로 들었습니다.

( 틀린 부분이 있다면 수정 부탁드립니다. )


1. 척에 DC 전압을 인가했을 경우 영향을 알고 싶습니다.

기본적으로 척과 웨이퍼가 부도체이기 때문에,

DC전압을 인가하면 인력으로 끌려온 Ar+ 입자가 다시 전자를 얻고 떨어지지 못하고

Ar+ 이온이 표면에 계속 누적되면서 성능에 악영향을 끼친다고 생각됩니다.

이 생각이 맞는지, 잘못된 것이 있거나 추가할 내용 부탁드립니다.



2. 척이나 히터가 아닌 웨이퍼에 전원을 직접 인가하는 경우가 있는지 알고 싶습니다.

그리고 그런 경우가 있다면, 어떤 이점을 얻을 수 있는지

없다면 왜 안하는지(불가능한지) 에 대해 간략히 설명 부탁드립니다.

제생각은 웨이퍼에 전원을 인가하는 것 자체가 구조적으로 어렵기 때문에

전원 인가가 용이한 척에 전원을 인가하는거라 생각하고 있습니다.



p.s. 실명으로 질문을 올려라 하셔서 개인정보에서 수정하였는데

질문에 올라가는건 아이디만 올라가서 실명노출이 안되네요..재가입을 해야하는건가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [101] 3648
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15344
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50578
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 62996
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82139
33 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 274
32 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 383
31 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 389
30 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 412
29 교수님 질문이 있습니다. [1] 517
28 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 543
27 LF Power에의한 Ion Bombardment [1] 664
» wafer bias [1] 722
25 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 789
24 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 942
23 CVD 공정에서의 self bias [1] 949
22 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1240
21 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 1911
20 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2016
19 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2032
18 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 3865
17 Ion Energy와 RF matchin관련 질문입니다. [1] 7350
16 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 8348
15 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8400
14 DC bias (Self bias) [3] 9869

Boards


XE Login