안녕하세요? 궁금한 사항이 있어 게시글을 남깁니다.

플라즈마를 통한 CCP etcher 의 경우 PE모드와 RIE모드가 있는것으로 알고 있습니다.

이 두경우는 상부전극에 RF를 걸어주느냐, 하부기판에 RF를 걸어주느냐에 따라 분류됨을 알고있습니다.

그런데 쉬스의 경우에는 RIE 모드에서만 기판 가까이 형성이 되고, PE 모드에서는 기판에 형성이 되지 않는다는

자료를 보아서, 궁금하여 질문을 드립니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [301] 78006
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20828
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57733
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69247
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93621
35 KM 모델의 해석에 관한 질문 [1] 475
34 전쉬스에 대한 간단한 질문 [1] 574
33 Sheath와 Plasma Bulk에 걸리는 전압 관련 문의 [1] 588
32 프리쉬스에 관한 질문입니다. [1] 623
31 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 706
30 교수님 질문이 있습니다. [1] 807
29 RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] 965
28 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 1030
27 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1192
26 wafer bias [1] 1193
25 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1248
24 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1994
23 LF Power에의한 Ion Bombardment [2] 2238
22 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] 2277
» PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2900
20 CVD 공정에서의 self bias [1] 3329
19 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3597
18 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4960
17 Sheath와 Darkspace에 대한 질문입니다. [1] 8960
16 RF & DC sputtering에 대해 질문드립니다. [1] 9059

Boards


XE Login