안녕하십니까, 교수님. 전자과 3학년 학부생입니다.

최근 탐침에 대해 관심이 생겨 공부하던 중, EEDF(EEPF)라는 개념을 접하게 되었는데, 궁금한 부분이 있어 질문 드립니다.

공정에 쓰이는 저온 플라즈마의 경우, 입자간 충돌이 상대적으로 적어 입자간 열평형을 이루지 않고, 전자의 경우 maxwellian 분포를 가정한다고 알고있었습니다.

최근 읽은 자료에 따르면,  공정 플라즈마는 non-maxwellian인 경우가 많고, 이는 logEEPF의 기울기를 통해 알 수 있다고 합니다.

1. LogEEPF의 기울기라 함은, 전자온도를 의미하는데, 전자 에너지의 대푯값인 전자온도가 두가지인 것이 무엇을 의미하는 것인지 궁금합니다.

2. Non maxwellain 분포가 발생하는 원인이 궁금합니다. 개인적인 생각으로 하나의 원인은, 고에너지의 전자는 쉬스의 voltage barrier을 뚫고 들어가 가열되므로 고에너지 전자의 전자온도(기울기)가 증가한다고 생각했습니다.

감사합니다.