ICP ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해]

2024.02.29 14:09

김준서 조회 수:226

안녕하세요, 전자공학과 2학년 학부생입니다.

쉬스에 대해 공부를 하던 중, CCP에서는 Cathode 부근에서 쉬스가 형성되고, sheath potential을 극복한 전자가 해당 쉬스로 들어와 음전압 강하로 인해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 이해했습니다.

ICP에서도 벽면에 쉬스가 형성되겠지만, 이는 전자가 가속되기엔 충분치 않으므로 RF Coil에 의한 전기장에 의해 가속되는 것이 주된 메커니즘이라고 생각해도 될까요? 

 

추가로, CCP & ICP 에서 챔버 내 반경에 따른 플라즈마의 밀도의 차이를 알고 싶은데 어떤 식으로 접근해야 할 지 궁금합니다.

 

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20847
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93632
33 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 80
32 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 83
31 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 92
» ICP에서 전자의 가속 [Plasma breakdown 이해] [1] 226
29 skin depth에 대한 이해 [Stochastic heating 이해] [1] 269
28 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [식각 교재 참고] [1] file 270
27 ICP에서의 Self bias 효과 [DC offset voltage와 floating potential] [1] 346
26 ICP 대기압 플라즈마 분석 [1] 750
25 ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] 886
24 공정플라즈마 [1] 1199
23 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1224
22 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1477
21 ICP lower power 와 RF bias [1] 1570
20 연속 plasma 방전시 RF power drop 및 Reflect 발생 [1] 1592
19 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1694
18 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1712
17 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1715
16 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1934
15 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 2058
14 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2416
쓰기
태그

Boards

XE Login