Remote Plasma RPG Cleaning에 관한 질문입니다.
2019.06.26 09:28
안녕하세요.
반도체 사업에 종사중이며, PECVD장비를 다루고 있습니다.
SiN, SiO Film 을 증착시, NF3 가스로 RPG를 사용해 Cleaning을 진행합니다.
몇몇 글을 보며, in-situ plasma를 동시에 사용하여, N2O / O2를 공급하면, Cleaning 효율이 좋다고 하는 것 같습니다.
다음에 대한 질문을 드리고 싶습니다.
1. Film 증착 시 SiH4 및 H2 Gas를 사용하는데, Cleaning 시 O2 Gas 를 사용해도 안전상 문제가 없을까요?
2. RPG를 이용한 Cleaning Process 이후, 잔여 Fluorine Gas 는 HF 형태로 잔존하고 있는 걸까요?
3. 2번에서 Cleaning Process 이후 잔여 Fluorine Gas 를 제거하는 방법이 따로 있을까요?
작은 경험이나마, Low Vacuum 에서 High Vacuum으로 전환 시 Plasma 방전 유무에 따라 Pumping Time이 확연히 차이나기는 했습니다.
감사합니다.
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흥미로운 질문입니다.
1번 질문에 답변 자료가 process-others-17번 [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문에 대한 답변 드립니다. 내용을 참고하시면 도움이 될 것 같습니다.
2-3번 질문은 세정기에서 생산된 F과 세정후 공정에 영향이 확인될 경우, 첫장효과 같은 이슈가 세정기로 부터 야기되었는가? 아니면 공정 셋팅의 능력 문제인가 하는 충돌이 발생하게 될 것 같습니다. 분명한 것은 F 생성량이 많을 수록 세정기 성능은 좋습니다. F은 플라즈마 전자와의 충돌로 발생하므로, 플라즈마 밀도가 높을 수록 즉 power coupling 효율이 좋을 수록 고밀도의 F 라디컬을 만들 확률이 높아지고 세정 능력이 커집니다.
하지만 F는 세정효력이 좋으므로 잔존하고 있으면, 대부분 벽면 재료와 반응해서 붙어 있게 되는 경우가 많고 잘 떨어지기 힘든데, F이 공간에 존재하면 이는 세정(식각)을 하게 되므로 박막 진행에는 방해 요소가 될 수 밖에 없습니다. 또한 식각 공정을 조금이라도 증진시킬 요소가 됩니다. 여기서 세정 이후 대부분 불화가스들은 재료 및 벽면에 잔준할 확률이 많아, 공정장치 구조 및 벽면 재료와 상태및 타킷 공정과 매우 긴밀한 관계를 갖게 됩니다. 따라서 서로 관리할 영역이 다를 것입니다. 여기서 기준을 제공할 수 있는 방법은 RPG에서 얼마나 F 라디컬이 많이 생성되어 공급되었는가와 후속 공정 전에 벽면의 불화도에 대한 정보를 갖고 공정을 진행해야 하는 2가지 데이터가
필요할 것 같습니다.
추천하건대, 라디컬 측정 방법을 잘 찾으셔서 RPG의 성능과 후속 공정 장비 (상태)에서 벽면 불화도 변화 과정의 데이터를 확보하는 하면 독자적인 세정 기술을 확보할 수가 있겠고, 기술 영역을 구획할 수가 있을 것 같습니다.