ESC CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요

2017.09.21 20:04

평택말붕이 조회 수:1671

반도체 종사하고 직장인 입니다

상기건으로 네이버 백방으로 검색하다가  우연찬게 가입을하고

약 4시간 가량 정말좋은 자료들 시간가는 줄 모르고 보게 되었습니다

저희 회사 UBM Etch 장비가 process 상 변경된 factor 는 없구요

최근 챔버 웨이퍼 RF Chuck 바로 밑에 Al plate 원판을 신규 가공품을 사용했구요

용도는 플라즈마를 가둬두는 용도 정도로 알고있고요

현상이 이전까지는 웨이퍼 바이어스 전압이 -180~-200V 의 컨디션 이였는데

최근 바이어스 전압 형성이 -110~-130v현저히 떨어졌습니다

공정은 CCP 500w ICP400w Ar 45sccm 입니다

현재 문제 focus 를 Al plate 로 보고있는데요

바이어스 전압이 기존대비 떨어질수있는 원인이

웨이퍼와 직접적 contact 되어지는 RF Chuck 의 문제인지

챔버 오염과도 영향성은 있는거 같고요....

순간 컨디션이 변경되어 참 난감한 상황입니다

테스트를 ICP Power 를 낮추어주면 바이어스값은 증가가 되구요

웨이퍼표면의 전자량이 동일조건 기존대비 줄어들수 있는 인자가 궁금합니다



이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] 73037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17633
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55517
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65703
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86031
90 알고싶습니다 [1] 889
89 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 900
88 Matcher 구성에 따른 챔버 임피던스 영향에 대해 문의드립니다. [1] 960
87 ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 1040
86 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 1072
85 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1093
84 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 1171
83 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. 1228
82 MATCHER 발열 문제 [3] 1250
81 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1268
80 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1272
79 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1297
78 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1387
77 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1428
76 RF matcher와 particle 관계 [2] 1531
» CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1671
74 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1697
73 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1778
72 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 1794
71 chamber impedance [1] 1794
쓰기
태그

Boards

XE Login