안녕하세요. 반도체 회사에 근무하는 김화중입니다.

 

제목에 언급드린대로 CCP 구조에서 chamber에 쌓이는 막질에 의한 capacitance 변화가 어떻게 될지 예상해보던 중 잘 모르겠어서 질문드립니다.

 

비정질 물질을 사용하는 chamber에서 S/H에 depo 되는 막질이 쌓여감에 따라 capacitance 가 변화하고 이로 인해 impedance 가 변할걸로 예상되는데요. 변화 방향을 계산해보고 싶습니다.

 

막질 A,B가 쌓인다고 했을 때 A의 cap 값은  물질의 dielectric constant 에 비례하고 막의 두께에 반비례하게 계산하고 이 B도 마찬가지로 계산하여 원래 CCP의 cap과 막질로 의한 cap이 직렬로 연결된 구조로 봐서 총 cap 값을 계산하면 되는걸까요?

 

다른 질문들을 보면서 학습하던 중 교수님께서 답변 달아주신 "특히 CCP의 경우 전극과 벽면의 erosion 혹은 오염으로 인해 capacitance 특성이 바뀌었습니다. 표면적 변화와 피막의 절연층이 만드는 변화입니다" 라는 내용이 있던데 관련 자료를 찾기 힘들어 이렇게 질문드립니다. 너무 당연한 내용이라면 혹시 어떤 부분을 공부해보면 될지 조언해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5812
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17217
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53083
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64490
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85105
69 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1773
» CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 1866
67 Si Wafer Broken [2] 1966
66 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 1993
65 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2042
64 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [2] 2078
63 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 2111
62 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 2207
61 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 2226
60 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다. (챔버쪽 임피던스 검출) [1] file 2228
59 임피던스 매칭회로 [1] file 2263
58 Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2266
57 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 2407
56 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 2800
55 ESC Cooling gas 관련 [1] 3036
54 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 3889
53 matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] 3968
52 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 4538
51 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 4735
50 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5226

Boards


XE Login