안녕하세요. ETCH 쪽에서 ENG'R로 근무중인 현직자입니다.

 

업무 중 궁금점이 생겨 간단하게나마 공부 후 질문내용 정리하여 문의드립니다.

 

상황
ICP 설비에서 BIAS REFLECT POWER를 줄이기 위하여 RF FREQUENCY TUNE을 이용한 상황입니다.
FREQUENCY TUNE을 사용하면 임피던스 Z가 변하면서 REFLECT POWER가 변하며, FORWARD POWER는 임피던스 Z와 Vpp에 영향을 받는 것으로 알고 있습니다.


질문
  1. 현재 설비는 VOLTAGE MODE를 사용중인데, 이때 Generator에서 인가하는 Voltage가 Vgen이라고 하면 BIAS RF VOLTAGE = Vgen = Vpp 동일한 값을 가지는지 궁금합니다.

 

  2-1 동일하다면, VOLTAGE MODE에서는 FREQUENCY 가변을 하게되면 임피던스의 변화에 따라 BIAS FORWARD POWER가 변한다는 가정이 옳다고 볼 수 있을까요?

  2-2 FORWARD POWER가 변한다는 가정하에, REFLECT POWER 역시 변할텐데, 결과적으로 LOAD POWER도 같이 변할 것으로 생각되는데 해당 가설이 적절한가요?
 
  3. POWER MODE에서는 FORWARD POWER가 SET된 값으로 인가되기때문에 RF Frequency 가변에 따라 Vpp값도 변하여 Forward POWER는  일정한게 맞을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [276] 76855
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20262
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57193
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68747
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92610
22 ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] 21200
21 Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] 22248
20 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22582
19 Peak RF Voltage의 의미 22617
18 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22947
17 HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 23340
16 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24606
15 ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24758
14 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24775
13 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24876
12 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25585
11 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26204
10 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26482
9 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27216
8 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27644
7 esc란? 28083
6 Arcing [1] 28659
5 matching box에 관한 질문 [1] 29680
4 Ar plasma와 O2 plasma 차이??(Matching Network) 35943
3 Ground에 대하여 39451

Boards


XE Login