안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. 전에 작성했던 글에 댓글을 남기는방법을 찾지 못해 글로 남깁니다.

SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas) 의 에칭입니다.

결합에너지를 근거로 다음과같은 에칭이 일어난다고 생각했고, Si(CH3)2기는 단순히 플라즈마 공급 전에 있다고 가정했습니다.

원활한 F의 공급 및 에칭, 플라즈마의 유지를 위해 CF4/O2 외에도 Ar의 공급이 필수적이라고 생각하면 될까요?

또한 Ar+생성 외에도 Ar공급의 목적이 있는지 궁금합니다.(CF4와의 반응에 영향을 미치는지 등)

마지막으로 충분한 물리적 에칭을 위해 Ar사용, F의 농도를 높이기 위해 O2를 사용으로 이해한게 맞는지 여쭤봅니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [271] 76769
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20224
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57175
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68720
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92370
162 타겟 임피던스 값과 균일도 문제 [1] 404
161 PDP 방전갭에 따른 휘도에 관해 질문드려요 [1] 423
160 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 472
159 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 473
158 PECVD Uniformity [1] 518
157 Plasma 표면개질에 대해 질문드립니다. [1] 531
156 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 540
155 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 544
154 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 548
153 RF Sputtering Target Issue [2] file 603
152 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 605
151 기판표면 번개모양 불량발생 [1] 611
150 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 618
149 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 636
148 Polymer Temp Etch [1] 665
» [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 670
146 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 694
145 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 697
144 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 717
143 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] 726

Boards


XE Login