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[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge]
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sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias]
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RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias]
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Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp]
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Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [Chucking/dechucking 파티클 제어]
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챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자]
[1] | 1466 |
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ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [플라즈마 방전 및 이온 가속]
[1] | 1479 |
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etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution]
[1] | 1507 |
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Uniformity 관련하여 문의드립니다. [베르누이 정리]
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엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [나노광전자 데이터 분석]
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poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
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[CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [수소의 확산과 쉬스에 의한 가속]
[4] | 1572 |
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식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [O2 plasma, ion sputtering]
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SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리]
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Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [Matcher의 알고리즘]
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Ar plasma power/time [Self bias와 sputtering 효과]
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Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance]
[1] | 1736 |
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부가적인 스퍼터링 관련 질문 드립니다. [라디컬의 화학반응성 및 DC 타깃 전극]
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Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity]
[1] | 1795 |
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텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응]
[1] | 1937 |
