안녕하세요.

DC sputtering과 RF sputtering을 공부하면서 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성에 대해 궁금증이 생겼습니다.

 

기본적인 DC sputtering에서는 음극쪽에 도체를 연결함으로서 처음 양이온을 만들 줄 전자의 존재가 음극 쪽에서 튀어나와 중성원자와 충돌해서 양이온을 만든다는 것은 알고 있습니다.

이 때 이 전자의 출처는 도체 내 자유전자로부터 인가요? 아님 DC전압으로부터의 전자인가요?

 

RF Sputtering에서 부도체를 연결했을 경우 부도체에는 자유전자가 없을텐데 부도체 표면으로 향하는 양이온의 존재는 어떻게 해서 생성이 된건가요?

 

어찌보면 첫 질문의 답이 무엇이냐에 따라 자동적으로 RF스퍼터링의 질문이 해결될 수도 있는 질문 같네요.

 

 답변 부탁드리겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5817
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17284
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53112
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64497
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85109
94 etching에 관한 질문입니다. [1] 1669
93 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1674
92 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1942
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1961
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 1973
89 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2003
88 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2186
87 Plasma etcher particle 원인 [1] 2240
86 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2243
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2446
84 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2452
83 PR wafer seasoning [1] 2478
82 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2538
81 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2750
80 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2771
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 2842
78 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 2962
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3034
» DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3180
75 플라즈마 색 관찰 [1] 3263

Boards


XE Login