Process Ta deposition시 DC Source Sputtreing

2022.11.19 05:11

TW 조회 수:2293

안녕하세요 

 

현재 반도체관련 회사에 재직중입니다. 

다름아니라  Ta material을 Deposition하는데 PVD에서는 DC Soruce sputtering을 이용해서 사용하는데 

RF source sputtering을 하게되면 어떤 단점이 있고 장점이 있을까요?

 

아님 Ta material에 대한 제한이 있는것 일까요? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [160] 73081
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17645
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55522
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65740
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86113
96 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1669
95 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1752
94 etching에 관한 질문입니다. [1] 1776
93 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 1994
92 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2043
91 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 2108
90 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2158
89 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2254
» Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2293
87 Plasma etcher particle 원인 [1] 2330
86 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2487
85 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2506
84 PR wafer seasoning [1] 2520
83 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2608
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 2798
81 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 2815
80 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3006
79 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3067
78 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3171
77 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3232

Boards


XE Login