Others 고온 플라즈마 관련

2012.06.04 11:49

몽돌 조회 수:8160

안녕하세요?

배가스의 SOx와 NOx 처리에 저온 플라즈마를 사용하는데 관련된 논문이 있었는데,

그 중에서 Radical 생성이 잘 되지 않아서 문제가 있는 것을 봤습니다.

혹시 고온 플라즈마를 사용하여 Radical 생성을 더 잘 생성시킬 수 있을까요?

만약 고온 플라즈마가 Radical을 더 잘 생성시킬 수 있다면 왜 지금까지 연구하신 분들이 모두 저온 플라즈마를 사용하는 방안을

연구하셨을까요? 거기에 다른 이유가 있나요?

빠른 답변이면 감사하겠습니다.
이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102810
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24682
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61401
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73469
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105812
114 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2066
113 Pecvd장비 공정 질문 [Dusty plasma와 벽면 particle 제어] [1] 2086
112 PECVD 증착에서 etching 관계 [PECVD 증착] [1] 2200
111 RF FREUNCY와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [CCP와 ionization] [1] 2243
110 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 2275
109 CVD품질과 RF Delibery power 관계 질문 [RF power와 plasma information] [1] 2310
108 플라즈마 에칭과 표면처리의 차이점 질문드립니다. [Cleaning, sputter etching, RIE] [1] 2397
107 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2471
106 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2530
105 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2602
104 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [PECVD와 PACVD] [1] 2687
103 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2694
102 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [Sputter와 sheath, flux] [1] 2706
101 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2736
100 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2778
99 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2802
98 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2813
97 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2902
96 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2906
95 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2927
쓰기
태그

Boards

XE Login