안녕하십니까.

산소양이온이 금속전극을 충돌하면, 산소양이온은 무엇으로 변하는지 궁금합니다.


1) 금속표면바로아래의 전자가 터널링에 의하여 나와서 산소양이온과 결합 하여 산소분자로 환원이 되는지?

  - 산소분자로 환원이 된다면, metastable 상태를 거쳐서 산소분자가 되는지..

2) 전자과 결합하는 과정에서 산소원자들이 생성이 되는지?


자료를 찾을 수가 없어서 문의드립니다.


오늘도 좋은 하루 되세요. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76901
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20295
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57212
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68764
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92723
104 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1988
103 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] 2026
102 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] 2026
101 doping type에 따른 ER 차이 [1] 2076
100 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 2085
99 etching에 관한 질문입니다. [1] 2274
98 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2301
97 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2333
96 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2344
95 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2346
94 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
93 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2364
92 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2508
» 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2591
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2673
89 PR wafer seasoning [1] 2707
88 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2829
87 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2889
86 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2917
85 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3017

Boards


XE Login