|
공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[326]
| 97272 |
|
공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
| 23690 |
|
공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
| 60385 |
|
공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
| 72238 |
|
공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
[3]
| 102507 |
|
94 |
PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning]
[1] | 2882 |
|
93 |
Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각]
[1] | 2915 |
|
92 |
RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power]
[1] | 3018 |
|
91 |
[RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma]
[1] | 3091 |
|
90 |
HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
| 3150 |
|
89 |
HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Depostion Rate 감소 현상 문의 [전자의 에너지와 중성입자와의 충돌]
[1] | 3179 |
|
88 |
Plasma 에칭 후 정전기 처리 [표면 전위 생성 및 방전]
[3] | 3337 |
|
87 |
Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath]
[1] | 3469 |
|
86 |
M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [DC 글로우 방전 및 Breakdown]
[1] | 3479 |
|
85 |
Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성]
[3] | 3613 |
|
84 |
Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time]
[1] | 3618 |
|
83 |
Plasma 표면 개질에 대해 질문드립니다. [O2 플라즈마와 Ar 플라즈마]
[1] | 4046 |
|
82 |
PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [하전에 의한 전기장 형성 및 방전 시간]
[1] | 4076 |
|
81 |
ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [Etch와 IEDF]
[2] | 4085 |
|
80 |
Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포]
[1] | 4099 |
|
79 |
DC스퍼터링과 RF 스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [플라즈마 생성과 Sputtering]
[2] | 4121 |
|
78 |
Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리]
[1] | 4310 |
|
77 |
SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [세정 시간 및 식각 효율]
[1] | 4465 |
|
76 |
HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [Sputtering 및 particle issue]
[1] | 4669 |
|
75 |
플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 4697 |
