Others 안녕하세요, 질문드립니다.

2012.04.03 20:00

탱탱 조회 수:6589

우선 바쁘신와중에 전화 받아주시고 답변주시겠다 해주신것 정말 죄송하고 감사합니다.

 

1. (얼마가 들든 상관없이) 만약 저희가 플라즈마를 이용하여 폐기물 소각 장치를 만든다 하면 대체적으로 어떠한것이 필수적으로 필요할지 말씀주실수 있나요?? (ex) 플라즈마 토치(?), 냉각기등등

2.  슬래그가 무엇이지요?

3. 만약  저희가 쓰레기를 소각한다 하면 그냥 일반 쓰레기를 소각해도 되는건가요?

 

 아님 특정 페기물만 소각 가능한건가요??

 

3. 작동 원리에 대해서 정말 대충이라도 설명해주실수 있나요??

 

4. 다이오신과 퓨란을 분해시키면서 CO2나 H2가 나오면서 환경오염을 줄일 수 있나요?

 

 

 

혹 댓글로 설명하기 힘든 부분이라면  010 3438 7119 으로 전화나 문자를 주시면 감사하겠습니다.

 

 

 

정말 죄송하지만 도움을 주셔서 정말 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78037
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20847
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93631
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2612
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2651
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2734
89 PR wafer seasoning [1] 2740
88 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2943
87 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2985
86 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 3029
85 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3111
84 Plasma etcher particle 원인 [1] 3120
83 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3161
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3236
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3491
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3680
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3764
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3909
77 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 4015
76 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4148
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4219
74 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4416
73 플라즈마 색 관찰 [1] 4455

Boards


XE Login