Etch DRAM과 NAND에칭 공정의 차이

2018.08.06 11:06

베컴 조회 수:5576

안녕하십니까?


DRAM과 NAND에칭 공정의 차이가 궁금합니다.


공정에서 주입되는 가스의 종류와 전기적 즉 HF/LF VPP의 차이도 있는거 같습니다.

DRAM과 NAND의 소자구조와 기능은 알겠으나.....공정조건의 차이가 왜나는지가 궁금합니다.

막질이 다름으로 인해...사용되는가스가 다른건지요?

공정조건이 다른 가장 큰 이유가 궁금합니다.


확인부탁드립니다.


감사합니다. 수고십시오.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] 78040
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20849
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57737
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69253
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93635
92 산소양이온의 금속 전극 충돌 현상 [1] 2612
91 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2651
90 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2734
89 PR wafer seasoning [1] 2740
88 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2944
87 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2985
86 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 3030
85 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3111
84 Plasma etcher particle 원인 [1] 3120
83 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3161
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3237
81 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3493
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3683
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3764
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3909
77 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 4015
76 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 4149
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4219
74 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4416
73 플라즈마 색 관찰 [1] 4455

Boards


XE Login