Deposition PECVD Precursor 별 Arcing 원인

2019.09.23 17:31

강동범 조회 수:3343

안녕하십니까 교수님. 현업 종사자로 Plasma Arcing 이슈로 문의코자 합니다.


현재 사용하는 Precursor는 TEOS로 Ar Carrier Gas를 사용합니다.

Low k CVD에서는 OMCTS로 Precursor를 변경하고 He Carrier Gas를 사용합니다.

이 때, OMCTS를 사용하는 Low k에서 Arcing이 발생하여 원인을 찾고자 합니다.


추측하는 원인으로는 교수님께서 Arcing Mechanism으로 언급하셨던 주위 부품들에서 축전된 전하로 발생할 가능성을 기반으로,

부품의 유전율은 동일하니, Sheath의 두께가 달라 Capacity가 다를 수 있어 Arcing에 취약하지 않을까 추측하고 있습니다.


관련 문헌들을 조사하였을 때, He Gas가 Ar에 비해  Sheath 두께가 얇고, Ion Density가 높음을 보입니다. 또한, 일부 문헌에서는 Precursor의 Corss section이 달라져 Sheath에 영향을 준다고 합니다.


정리하자면, TEOS, Ar -> OMCTS,He으로 변경 시, Arcing이 발생하는 것은 Sheath의 두께에 따른 Capacity 차이에 의함이 아닌가 싶습니다.


검토해주셔서 답변해주시면 감사하겠습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76889
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57204
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92716
84 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3015
83 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3060
82 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3171
» PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3343
80 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3552
79 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3659
78 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3845
77 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3969
76 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3974
75 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4167
74 플라즈마 색 관찰 [1] 4315
73 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4319
72 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5383
71 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5478
70 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5926
69 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6099
68 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6281
67 O2 플라즈마 표면처리 관련 질문2154 [1] 6442
66 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6501
65 안녕하세요, 질문드립니다. [2] 6570

Boards


XE Login