Etch N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요
2010.01.20 17:55
안녕하세요.
N2 Gas를 이용하여 monomer 박막 Etching을 하는데요.
10min 공정에 200A/min etching 되었는데 50min 공정에서 500A/min 정도로 1/2로 Etching rate이 줄었습니다.
그 이유를 자세히 알고 싶은데요.
빠른 답변좀 부탁 드릴께요.
예상 되는 원인은 : 공정 시간이 길어 짐에 따라 chamber 내 온도 상승으로 박막 경화 되어 Etching rate이 감소 했을것으로
생각 되는데 이게 맞는건가요?? 그리고 다른 예상 가능한 원인들좀 알려 주세요.
감사합니다.
댓글 2
-
김곤호
2010.01.20 05:26
- 공감합니다. 온도 변화가 큰 요인 중에 하나가 되겠네요. 플라즈마 입자 및 UV 조사에 의한 경화는 일반적인 현상이 되겠습니다. 혹시 cooling 시키면 어떨까요? -
monomer 물질이 어떤 것인지 정확히는 모르나,
N2 플라즈마에 의해 박막 표면이 노출이 되면 일정 두께에 막질이 경화되는 현상이 있습니다.
이러한 경화현상으로 시간이 지남에 따라 식각률이 떨어지는 경향을 시간에 따라 확인하실 수 있습니다.
경화현상 자체를 확인하시고 싶으시면, 막의 수직 단면을 절단해보시면 확인히 차이가 난 막질을 볼 수 있습니다. 이를 억제하고 식각률을 유지하기 위해서는 근본적으로 표면 막질의 식각률을 향상시킬 수 있는
공정 recipe의 개선이 필요하고, (식각 장치가 어떤 것인지는 모르겠습니다만) 근본적으로 식각률을
향상시켜 최적 요구조건 수준 이상을 만족시킬 수 있도록 개선하는 것이 좋을 것 같습니다.
앞서의 cooling도 해보시고, He나 기타 열용량이 큰 가스들을 첨가함으로써 식각률 이득 뿐만 아니라,
chamber 구조상의 열손실을 확보할 수 있는 배기 구성 등을 시도해보시는 것도 좋을 것 같습니다.
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