안녕하세요. RIE 모니터링 관련해서 졸업 프로젝트 진행중인 학부 4학년 정보경입니다.

 

 다름이 아니라 RIE 장비를 거친 후의 부산물 양을 알고 싶어서 여쭈어 봅니다.

주입가스는 CF4,O2(19sccm , 1 sccm)이며 식각될 물질은 SiO2입니다. 

 

4인치 웨이퍼에 증착된 1나노미터의 산화막이 모두 식각되었을 시 SiF4의 양을 계산할 수 있을까요?

 

SiO2+4F->SiF4 (g) +2O

 

전공에서 다루는 부분이 아니라 난항을 겪고 있는 중입니다. 

답변 주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76881
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20277
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57199
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68754
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92707
69 공정 DATA TARGET 간 난제가 있어 문의드립니다. [1] new 2
68 플라즈마 식각 커스핑 식각량 32
67 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 73
66 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 209
65 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 255
64 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 260
63 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 284
62 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 300
61 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 324
60 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 363
59 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 371
» 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 399
57 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 415
56 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 491
55 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 557
54 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 612
53 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 625
52 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 628
51 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 674
50 Polymer Temp Etch [1] 677

Boards


XE Login