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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68754
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28 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2297
27 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2344
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20 Plasma etcher particle 원인 [1] 3008
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3013
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3551
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15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5358
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5477
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5921
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6278
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6686
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9537
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 12533

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