Etch 에칭후 particle에서 발생하는 현상

2004.06.19 16:44

관리자 조회 수:9049 추천:225

Etching 후에 particle에 발생하는 현상은 매우 일반적입니다. 사용하는 gas와 대상 시편간의 화합물 형성 조건과 반응기의 형태등에 따라서 particle 발생과 처리는 매우 심각한 문제를 야기하기도 합니다. 또한 이 같은 현상은 반응기 내부 구조에 따라 매우 민감하고 개스 흐름과도 밀접한 연관이 있습니다. 반응기 내의 구조에 특히 민감합니다.
실험에서처럼 polymer가 형성되는 경우는 일반적으로 processing 사이에 산소 플라즈마를 사용하여 반응기를 cleaning하는 방법을 사용하는 것으로 알고 있습니다. 물론 이용하고 있겟지요. 또한 반응기 구조에 개스 흐름이 모이는 곳이 없도록 내부 설계를 조절할 필요가 있을 것입니다.
저희 실험실에서는 플라즈마내에 particle이 통과 하였을 경우 particle표면에
얼마나 많은 전하가 하전되는 가를 공부하고 있습니다. 그 결과는 표면적에 비례하여 하전량이 증가하는 것을 알 수 있고 이 표면 전하에 의한 전위는 process중에 전기력을 형성하여 반응기 표면에 흡착되던가 자신의 중력을 상쇄하여 플라즈마내에 부유하고 있을 수 있습니다. 하지만 플라즈마가 꺼지고 표면 전하가 사라지게 되면 균형을 이루던 힘이 깨지고, 즉 전기력을 손실하여 중력에 다른 particle의 자유 낙하가 시작될 것입니다. 이때 gas flow에 다라서 particl 이 배기 되지 못하면 남은 particle은 처리 시편에 떨어지게 됩니다. 이 같은 사항을 고려하여 반응기 내부 구조 설계와 배기 설계 등을 하시면 도움이 될 것 입니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [102] 3674
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15361
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50581
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63010
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82191
47 doping type에 따른 ER 차이 [1] 233
46 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 301
45 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 336
44 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 354
43 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 367
42 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 380
41 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 594
40 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 611
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 703
38 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 758
37 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 769
36 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 778
35 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 890
34 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 913
33 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 920
32 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1016
31 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 1142
30 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1191
29 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1210
28 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 1345

Boards


XE Login