안녕하세요 교수님, ICP Dry etching을 활용한 High-k , Oxide semiconductor patterning 연구를 진행중인 석사과정 학생입니다.


제가 사용하는 Dry etch chemistry는 CF4/Ar gas인데요, 이 때 반응성 이온으로 형성될수 있는 F+,CFx+ ion 그리고 non-reactive gas인 Ar의 역할들에 대해 질문을 여쭙고 싶습니다.


흔히 Ar ion의 경우 energetic bombardment라 하여 target 표면의 1.physical sputtering 및 2. bonding을 깨 radical과의 화학반응을 유도하며 3. 낮은 ionization energy로 인해 RIE 공정 시  plasma 안정화의 역할을 하는 것으로 알고 있습니다.


반면 Reactive ion 의 경우의 역할에 대해 혼란이 있는데요, 예를들어 CF4 gas의 경우 plasma에서 CFx+ 및 F+ ion이 형성되고

수많은 논문들에서는 이들 reactive ion 의 역할을 1.radical과 같은 표면반응으로 byproduct 형성 / 2. icp의 bias power의 영향을 받아 Ar ion 과 같은 bombardment 역할을 한다고 이야기하고 있습니다.


이부분에서 장비 및 공정의 조건 그리고 target물질에 따라, reactive ion(CF3+ CF2+,CF+,F+ etc..)들의 역할이 바뀔 수 있는 것인지요, 아님 복합적으로 화학반응 및 sputtering 역할이 동시에 일어나되, 공정조건에 따라 dominent한 역할이 달라지는 것인지... 궁금합니다.


정리하면 rie에서 reactive ion의 역할이 ion bombardment & sputtering, chemical reaction 둘다 맞는 말인지 여쭙고 싶습니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 48709
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 50779
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [1] 57199
39 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 newfile 110
38 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] new 178
» [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] new 195
36 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] new 273
35 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] new 306
34 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] new 325
33 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] new 424
32 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] new 427
31 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? new 429
30 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. new 550
29 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] new 653
28 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] new 682
27 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] new 713
26 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] new 760
25 etching에 관한 질문입니다. [1] new 783
24 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] new 815
23 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] new 989
22 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. newfile 1018
21 터보펌프 에러관련 [1] new 1167
20 Plasma etcher particle 원인 [1] new 1181

Boards


XE Login