Etch doping type에 따른 ER 차이

2022.02.22 19:14

우화리 조회 수:1252

안녕하세요.

 

반도체 식각 산업에 몸담고 있는 이주현입니다.

 

 

다름이 아니라 Doping type 별 ER이 달라짐이 확인되어 그 메커니즘에 대한 고견을 얻고자 글을 씁니다.

 

 

Gas는 Cl2 N2 base로

 

Si (non-doping) VS SiGe(non-doping) 에서는 

SIGe가 Etch Rate이 더 빨랐는데

 

Si (p doping/ nmos) VS SiGe(Ga doping / pmos) 에서는 

Si (p doping/ nmos) 경우가 Etch Rate이 빨랐습니다.

 

혹시 도핑만으로 Etch Rate이 바뀔 수 있을까요?

 

P doping을 하게 되면 전자가 하나 남고 이게 Cl을 더 빠르게 붙도록 유도해서 

그 결과 Etch Rate이 더 높은걸까요?

 

Bonding energy나

Gibbs energy를 찾아보았지만 모든 수치를 확인하지 못해서

결론을 못내리고 있습니다.

 

 

추가로 gibbs energy 수치가 plasma etch rate에 영향을 줄까요?

 

 

감사합니다.

 

이주현 드림. 

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [158] 72997
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17589
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 55512
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 65687
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 86016
52 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 110
51 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 207
50 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 261
49 Polymer Temp Etch [1] 290
48 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 346
47 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 466
46 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 626
45 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 682
44 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 697
43 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 712
42 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 715
41 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 772
40 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 905
39 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 975
38 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1019
37 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1030
36 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1071
» doping type에 따른 ER 차이 [1] 1252
34 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1287
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1304
쓰기
태그

Boards

XE Login