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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61106
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13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 3545
12 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 4642
11 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 4765
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 8962
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 10424
8 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] 10627
7 ICP 식각에 대하여... 16508

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