Etch 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
2017.09.09 21:02
안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.
몇가지 질문 드리려 가입했습니다.
1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)
2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.
답변 달아주시면 감사하겠습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [303] | 78038 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20848 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57737 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 69253 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 93634 |
54 | ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] | 687 |
53 | [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] | 711 |
52 | Polymer Temp Etch [1] | 758 |
51 | remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] | 766 |
50 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 875 |
49 | center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] | 940 |
48 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 1084 |
47 | RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] | 1140 |
» | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1163 |
45 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1181 |
44 | etch defect 관련 질문드립니다 [1] | 1187 |
43 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 1205 |
42 |
O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의
![]() | 1211 |
41 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1227 |
40 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1282 |
39 | Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] | 1448 |
38 |
poly식각을 위한 조언 부탁드립니다.
![]() | 1457 |
37 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1518 |
36 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1815 |
35 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1898 |