안녕하세요.

궁금한 점이 있어 질문 드립니다.

일반적인 Dry etcher 장비에서 chamber 임피던스가 어떤 영향에 의해 변화 되었다면

그 결과의 공정에도 변화가 있는지요?

임피던스가 크게 변화되었다면 어떤식으로도 표현이 되겠지만,

미세하게 변화된 경우(물론 RF메칭범위 내에는 있겠죠), 공정 결과도 변화가 발생되는지 궁금합니다.

예를 들어주셔도 됩니다.

이상입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [337] 111541
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 27849
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 65126
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 76961
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 111214
56 remote plasma를 이용한 SiO2 ethching 질문드립니다. [식각률 self limit과 쉬스 에너지 변화] [1] 1164
55 Polymer Temp Etch [이온 입사 에너지] [1] 1186
54 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해보고 싶습니다. [플라즈마 가속 전자의 충돌 반응] [1] 1227
53 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술] [1] 1244
52 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [RF 접지 및 체결, 결합부분 교체] [1] 1302
51 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 1307
50 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1354
49 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1400
48 Vacuum chamber(Etching)내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계 [Plasma bulk Temp와 wall Temp] [2] 1522
47 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [Self bias] [1] 1530
» 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [Chamber impedance와 공정 드리프트 진단 인자] [1] 1577
45 sticking coefficient 관련 질문입니다. [HAR, LF bias] [1] 1591
44 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [CCP 균일도, CCP edge] [1] 1616
43 poly식각을 위한 조언 부탁드립니다. file 1632
42 etch defect 관련 질문드립니다 [Plasma distribution] [1] 1829
41 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [Matcher와 dynamic impedance] [1] 1871
40 Plasma etch 관련 질문이 드립니다. [Sheath와 uniformity] [1] 1948
39 SI 표면에 Ar Plasma Etching 하면 안되는 이유 [표면 전처리] [1] 1964
38 터보펌프 에러관련 [터보 펌프 구동 압력] [1] 2137
37 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [표면 화학 반응] [1] 2211

Boards


XE Login