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공지 |
[필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내
[303]
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공지 |
Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법
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공지 |
개인정보 노출 주의 부탁드립니다.
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공지 |
kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수
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공지 |
질문하실 때 실명을 사용하여주세요.
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식각 시 나타나는 micro-trench 문제
[1] | 2087 |
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압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다.
[1] | 2091 |
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doping type에 따른 ER 차이
[1] | 2113 |
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Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법
[1] | 2273 |
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플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응]
[1] | 2325 |
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etching에 관한 질문입니다.
[1] | 2353 |
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Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate
[1] | 2404 |
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Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련.
[1] | 2406 |
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DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다.
[1] | 2452 |
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[RIE] reactive, non-reactive ion의 역할
[1] | 2651 |
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RIE에 관한 질문이 있습니다.
[1] | 2734 |
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PR wafer seasoning
[1] | 2740 |
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HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요?
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[Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련]
[3] | 3029 |
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Plasma etcher particle 원인
[1] | 3120 |
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Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다.
[1] | 3161 |
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Plasma Etch시 Wafer Edge 영향
[1] | 3680 |
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Plasma 식각 test 관련 문의
[1] | 4015 |
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Dry Etching Uniformity 개선 방법
[2] | 4416 |
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15 |
DRAM과 NAND에칭 공정의 차이
[1] | 5576 |
