Etch Dry Etching Uniformity 개선 방법

2016.03.02 17:46

돌맹 조회 수:4291

안녕하세요? nano imprint 및 etching을 이용하여 패턴 가공을 하는 직장인 입니다.

Al 에칭 시 전체적인 Uniformity가 잘나오지 않습니다. 항상 한쪽으로(같은 방향) 쏠리어 에칭이 됩니다.

여러 조건들 SRC,Bias 파워,유량 조절, 압력 조절 등 조건 변경하여 해보았으나 마찬가지 형태로 진행이 됩니다.

Etcher 장비는 최대 8inch 까지 가능한 장비이며 에칭 가스는 Cl2, BCl3 사용 중입니다.


uniformity 개선 관련하여 어떠한 방법이 있을까요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [275] 76828
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20251
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57192
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68743
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92581
28 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2279
27 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2338
26 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2342
25 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2473
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [1] 2649
23 PR wafer seasoning [1] 2704
22 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2780
21 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2879
20 Plasma etcher particle 원인 [1] 2986
19 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2995
18 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3546
17 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3970
» Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4291
15 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5309
14 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5469
13 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5894
12 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6267
11 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6643
10 에칭후 particle에서 발생하는 현상 9525
9 ICP와 CCP의 차이 [3] 12508

Boards


XE Login