안녕하세요. 반도체 회사 재직중인 설비엔지니어입니다.

 

텅스텐 DEPO 설비 유지보수 중에 RF Plasma를 통한 텅스텐 Cleaning에 문제점이 생겨 조언을 얻고자 질문드립니다.

 

텅스텐 Plasma Clean 조건

2100W Generator Power / C2F6 : O2 (1:1 비율) / 300mTorr Chamber Pressure / 13.56MHZ Matcher

 

Plasma Cleaning 진행 중 깜빡깜빡이는 현상이 확인되며 PM을 하고자 Chamer Open 했을 때

텅스텐이 Etching 되지 않고 Heater 및 Shower Head에 텅스텐이 그대로 남아있는 현상이 발생했습니다.

 

관련하여 챔버에 압력/Clean gas/RF 계통의 Part들을 교체해 보고 있으나 현상이 개선되지 않아

플라즈마 깜빡깜빡이는 현상이 Etching 효율을 떨어뜨리는 걸로 보이는데 문제점이 무엇일지 조언 받고싶습니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [313] 79245
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 21263
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 58064
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69622
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 94410
35 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [ER과 self bias] [1] 1950
34 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [소자 식각 데미지] [1] 2149
33 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [MFC와 residence time] [1] 2171
32 doping type에 따른 ER 차이 [MD 시뮬레이션 연구] [1] 2250
31 etching에 관한 질문입니다. [충돌 현상 및 이온화 과정] [1] 2407
30 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2440
29 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2471
28 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2486
27 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2536
26 [RIE] reactice, non-reactice ion의 역할 [Dissociation과 Ar plasma] [1] 2762
25 PR wafer seasoning [Particle balance, seasoning] [1] 2765
24 RIE에 관한 질문이 있습니다. [Sheath 이온 거동 및 bias power] [1] 2797
23 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2999
22 Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련 [Sheath 전위 형성] [3] 3191
21 Plasma etcher particle 원인 [Particle issue와 wafer의 sheath] [1] 3214
20 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [Flow rate와 moral ratio, resident time] [1] 3309
19 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [Standing wave 및 플라즈마 밀도 분포] [1] 3777
18 Plasma 식각 test 관련 문의 [플라즈마 데이터 처리] [1] 4066
17 플라즈마 식각 공정 중 폴리머의 거동 [재료 표면 반응] [1] 4269
16 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [장치 구조에 따른 공간 분포] [2] 4495

Boards


XE Login