Etch [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [플라즈마 식각기술]
2023.05.29 16:04
안녕하세요. 화학공학과 재학중인 학부생입니다. 전에 작성했던 글에 댓글을 남기는방법을 찾지 못해 글로 남깁니다.
SI(CH3)2 + 4F > SIF4(gas) + C2H6(gas) 의 에칭입니다.
결합에너지를 근거로 다음과같은 에칭이 일어난다고 생각했고, Si(CH3)2기는 단순히 플라즈마 공급 전에 있다고 가정했습니다.
원활한 F의 공급 및 에칭, 플라즈마의 유지를 위해 CF4/O2 외에도 Ar의 공급이 필수적이라고 생각하면 될까요?
또한 Ar+생성 외에도 Ar공급의 목적이 있는지 궁금합니다.(CF4와의 반응에 영향을 미치는지 등)
마지막으로 충분한 물리적 에칭을 위해 Ar사용, F의 농도를 높이기 위해 O2를 사용으로 이해한게 맞는지 여쭤봅니다.
지난 내 답변으로 충분하지 않은 가 봅니다.
저서를 추천합니다. 성균관대학교 염근영 교수님 저 "플라즈마 식각기술 "과 D.M. Manos and D.L.Flamm 저 "Plasma Etching - Introduction" 에서 기본적인 정보를 얻으실 수 있을 것입니다. 저 역시 이 책들로 부터 지식을 쌓고 있습니다.