안녕하세요, 저는 반도체 장비 회사에서 PECVD 설비를 개발하고 있는 이장혁이라고 합니다.


최근 개발하고 있는 설비의 CONTACT FILL 능력이 문제가 되고 있는데요, 일단 DEPO RATE 관점에서 원인을 찾으려고 하고 있습니다.


PECVD 공정의 D/R 에 영향을 주는 인자는 여러가지가 있겠지만 여기서 여쭤보고 싶은 건 FREQUENCY 인데요....


다른 조건이 고정되어 있을 때 FREQUENCY 가 높아지면 D/R 이 빨라지나요? 참고로 말씀드리면 DEPO 하는 막질은 TI 이고 PRECURSOR 로는 TICL4 를 사용합니다.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [85] 2296
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 12779
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 49613
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 61085
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 78358
30 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 146
29 magnetic substrate와 플라즈마 거동 [3] 289
28 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 369
27 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 426
26 PECVD 증착에서 etching 관계 [1] 829
25 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 872
24 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 881
23 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 904
22 Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] 964
21 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 1340
» RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1394
19 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 1425
18 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2182
17 플라즈마 색 관찰 [1] 2638
16 플라즈마 데미지에 관하여.. [1] 6064
15 플라즈마 균일도에 대해서 질문드립니다. [1] 7412
14 Ar Gas 량에 따른 Deposition Rate 변화 [1] 7843
13 질문있습니다 교수님 [1] 13129
12 박막 형성 15050
11 PEALD관련 질문 [1] 15367

Boards


XE Login