안녕하세요

 

제 질문은 플라즈마와는 크게 관련이 없지만..  마땅한 곳이 없어서 부득이하게 질문 드리게 되었습니다.

 

저는 TFT 소자를 제작하려고 하는 석사과정생입니다. 

 

방법은 p-Si/sio2(100nm) 기판 위에 sputtering으로 channel 전면 증착 후 metal (shadow mask) electrode 형성 입니다.

 

저의 경우 사정상 타 연구실의 RF sputtering 장비를 빌려서 채널증착을 하는데요,

 

아무래도 전면증착을 해서 그런지 채널 형성만 하고 vertical로 IV를 찍어보면 current가 흐르게 나오고 있습니다.

(leakage 수준이 아닌 linear하게 쭉쭉 흐르는 전류입니다)

 

소자크기는 1.5cm x 1.5cm 입니다.

소자의 edge 부분에 채널물질이 증착되어 conduction path를 형성하였다고 생각하여 증착 후 소자의 사면을 다 잘라내고 측정을 해봐도

같은 결과가 나와서 조금 답답한 상황입니다.

 

타 논문들을 보면 이러한 방식으로 간단하게 TFT 구조를 만들고 있는데 혹시 제가 놓치고 있는 부분이 있을까요?

RF sputting으로 채널증착을 전면으로 하고나면 보통 etch를 하는지, 혹은 전면으로 증착하면 원래 안되고 shadow mask를 두고 rf sputtering을 통해 증착하는지 궁금합니다.

 

아 제가 채널 물질로 사용하고 있는 타겟은 IGZO 입니다.

 

(측정기나 다른 부분에서의 문제는 없을 것으로 예상됩니다, isolation을 한 소자는 잘 찍히는데 제가 사정상 포토를 하기가 매우 힘든상황입니다)

 

읽어주셔서 감사합니다.

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