안녕하십니까 교수님. 반도체 장비회사에서 공정개발 직무를 담당하고 있는 엔지니어 입니다.

 

다름이 아니라 플라즈마 식각기술 책을 읽는 와중에 궁금한 점이 생겨 이렇게 질문을 남깁니다.

 

책에서 접지된 전극에 기판을 놓을 경우 Radical에 의한 반응이 반응성 이온의 영향보다 크게 되고,

고주파 전극에 기판을 놓게 되면 반대로 되어 이방성이 커진다고 하는데 

 

집지된 전극에 기판을 놓을 경우 왜 Radical 반응이 주가 되는 건가요?

접지라는 것이 이 구조에서 어떻게 영향을 끼치는 것인지 궁금합니다.

 

항상 많이 배우고 있습니다.

감사합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [332] 102635
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 24657
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 61358
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 73441
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 105747
29 반사파에 의한 micro arc 질문 [VHF 전력 인가] [2] 383
28 RF magnetron Sputtering 공정에서의 질문 [Lorentz force와 ExB drift 이해] [1] 492
27 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [HV probe 전압 측정] [2] file 632
26 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 743
25 plasma striation 관련 문의 [Plasma striation] [1] file 846
24 연속 Plasma시 예상되는 문제와 횟수를 제한할 경우의 판단 기준 [Plasma information과 monitoring] [1] file 868
23 CCP RIE 플라즈마 밀도 [Global model, Plasma generation, Ionization collision] [1] 906
22 라디컬의 재결합 방지 [해리 반응상수] [1] 1108
21 RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [TC gauge 동작 원리] [1] 1170
20 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [ICP, CCP 플라즈마 heating] [1] 1234
19 CCP Plasma 해석 관련 문의 [Diffusion] [1] file 1384
18 HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [Self bias와 dummy 공정] [1] 1407
» CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [Self bias] [1] 1413
16 anode sheath 질문드립니다. [Sheath 형성 메커니즘] [1] 1460
15 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [Breakdown과 impedance] [3] 1916
14 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [ESC와 Chamber impedance] [1] 1953
13 PECVD와 RIE의 경계에 대해 [DC bias 형성 판단] [1] 2067
12 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2792
11 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [Breakdown 전기장, 아크 방전] [3] 4220
10 CCP에서 DIelectric(유전체)의 역활 [유전체 격벽 방전] [1] 7935

Boards


XE Login