안녕하세요. 저는 디스플레이 건식식각 장비회사에 다니고 있습니다.

 

저희 회사는 ICP를 사용하고 있습니다. Source Vpp, Bias Vpp라는 parameter가 있는데 제가 알기로는 RF 파형의 전압 값으로 RF power와 비례한다고 알고 있습니다. 그런데 식각 시 Source와 Bias power는 일정하게 유지함에도 불구하고 Vpp가 변동됩니다. Process가 진행되면서 Source Vpp는 증가하는 경향, Bias Vpp는 감소하는 경향을 보입니다. 

 

Bias Vpp는 -Vdc(표면전위)로 점차 떨어져 안정화된다고 하셨는데, Source Vpp는 왜 증가한 후 안정화되는 건가요?

 

박막이 식각됨에 따라 플라즈마의 임피던스가 변해서 Vpp가 변동이 생기는 건가요? 그렇다면 왜 Source Vpp와 Bias Vpp가 상반되는 거동을 보이는 것인지요? 고민해봐도 잘 모르겠어서 부득이하게 질문 드립니다.

 

참고로 저희 장비의 Vdc sensor는 capacitor의 원리를 사용해 측정하기 때문에 전위변동 -> 안정화 후에는 0으로 수렴하는 경향을 가지고 있습니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4906
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16237
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63754
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83542
88 고진공 만드는방법. [1] 787
87 대학원 진학 질문 있습니다. [2] 794
86 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] 816
85 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] 822
84 RF matcher와 particle 관계 [2] 870
83 RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. [1] 952
82 CCP 챔버 접지 질문드립니다. [1] file 963
81 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 1001
80 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1124
79 MATCHER 발열 문제 [3] 1141
78 rf chamber 내에 생기는 byproduct에 대한 질문 있습니다. [1] 1158
77 Impedence 위상관련 문의.. [1] 1199
76 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1251
75 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 1454
74 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1543
73 Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] 1591
72 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1605
71 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 1639
70 chamber impedance [1] 1674
69 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 1686

Boards


XE Login