안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

최근 저희가 개발하고 있는 플라즈마 소스가 이상한 특성을 보여서 문의드립니다.

 

저희가 개발하고 있는 Source는 원통형 ICP Plasma Source인데 Load Impedance 값을 살펴보면,

 

Power가 증가함에 따라서 실저항 값이 높아지고 (3@100W ~ 40옴@5000W)

 

복소수 값은 파워가 증가함에 따라서 감소하고 파워가 감소하면 증가됩니다.

 

그리고 몇몇 논문에서 보면 Power가 증가함에 따라서 위상차가 서서히 증가하는데

 

저희는 위상차가 서서히 감소됩니다.

 

이것을 어떻게 해석해야 할지 모르겠습니다.

 

제 생각에는 파워가 증가하면 실저항 성분이 감소하고 리액턴스 성분이 증가할것 같은데...... .

 

위 현상을 어떻게 해석해야 하는지와 보통 플라즈마 소스가 올바르게 동작하는 경우가 어떤지와 왜 이런 차이가 있는지가 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다. 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [300] 77938
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20790
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57705
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 69210
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 93567
816 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [1] 23
815 ExB drift 식 유도 과정에서의 질문 [삼각함수의 위상각] [1] 33
814 RF sputtering reflect power에 대해서 질문 남깁니다. 34
813 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 36
812 C2H2 플라즈마코팅시 가스 원인과 대책 51
811 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 52
810 Surface wave plasma 조건에 관해 질문드립니다. [표면파의 전파] [1] 60
809 Debey Length에 대해 문의 드립니다. [플라즈마 정의와 Deybe length] [1] 68
808 micro arc에 대해 질문드립니다. [DC glow 방전과 breakdown 전기장] [1] 76
807 플라즈마 식각 커스핑 식각량 77
806 Ion 입사각을 확인하는 방법 문의드립니다 [식각 플라즈마의 가장자리 균일도 제어] [1] 77
805 DBD 방전 방식의 저온 플라즈마 관련해서 3가지 질문 드립니다. [DBD 방전과 DC breakdown] [1] 83
804 Druyvesteyn Distribution 86
803 스터퍼링시 기판 온도 계산에 대해 질문드립니다! [열전달 방정식 이해] [1] 88
802 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [유전체 상태 모니터링] [1] 92
801 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 102
800 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [부착물의 흡착 관리] [1] 106
799 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [Base pressure 이해] [1] 110
798 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [RF 전원과 매칭] [1] 115
797 PECVD 실험을 하려고 하는데 조언 구합니다. 125

Boards


XE Login