ICP dry etch 장비에 대해 이제막 공부를 시작하고 있는데요..

RF Power로 부터 가해지는 전자기파가 도체 내를 통과할 수 있는 깊이가 skin depth라고 알고 있는데

그렇다면 skin depth가 클수록 전자기파가 플라즈마에 영향을 주어 플라즈마 밀도도 높아져서

etch rate 측면에서 볼 때 좋아진다고 생각이 되는데...  이런 메카니즘으로 이해하는것이 맞는 건지요..? 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
783 ICP에서의 Self bias 효과 [1] 12
782 CF4/Ar 을 활용한 Si/SiO2 에칭에 관한 질문입니다. [1] file 30
781 내플라즈마 코팅의 절연손실에 따른 챔버 내부 분위기 영향 여부 질문드립니다. [1] 35
780 Ni DC 스퍼터 관련 질문있습니다. [1] 39
779 자성 물질 Etching 시 Process Parameter 질문 [1] 50
778 스미스차트의 저항계수에 대한 질문드립니다 55
777 Microwave & RF Plasma [1] 64
776 RF 반사와 전기에서 쓰이는 무효전력 반사 차이점이 궁금합니다. [1] 70
775 RF generator의 AMP 종류 질문입니다. [1] 75
774 sputtering 을 이용한 film depostion [1] 82
773 파장길이와 동축 케이블 길이 관련 문의드립니다 [2] 93
772 챔버 내 전자&이온의 에너지 손실에 대해 [1] 100
771 ICP에서 전자의 가속 [1] 104
770 플라즈마 식각 시 notching 현상 관련 [1] 113
769 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 118
768 DBD 플라즈마 작동 시 유전체에 가해지는 데미지 [1] 129
767 CCP장비 discharge 전압 및 전류 측정 방법 과 matcher 문제 관하여 [2] file 129
766 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 135
765 LXcat Dataset에 따른 Plasma discharge 에 대한 질문입니다. [1] 141
764 FTIR분석을 이용한 SiO2성막 해석 154

Boards


XE Login